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Si6955ADQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.24
0.18
0.12
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1000
800
600
400
C iss
0.06
0
200
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 3.9 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 3.9 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.40
0.32
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.24
0.16
0.08
I D = 3.9 A
1
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71103
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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